一、考试要求

　　要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带结构、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。

　　二、考试内容

　　1、半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论(30分)

　　1)半导体晶格结构及电子状态和能带;

　　2)半导体中电子的运动;

　　3)本征半导体的导电机构;

　　4)硅和锗及常用化合物半导体的能带结构;

　　5)硅和锗晶体中的杂质能级;

　　6)常用化合物半导体中的杂质能级;

　　7)缺陷、位错能级。

　　2、载流子的统计分布与半导体的导电性(40分)

　　1)状态密度与载流子的统计分布;

　　2)本征与杂质半导体的载流子浓度;

　　3)一般情况下载流子统计分布;

　　4)简并半导体;

　　5)载流子的漂移运动与散射机构;

　　6)迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系;

　　7)多能谷散射、耿氏效应。

　　3、非平衡载流子(30分)

　　1)非平衡载流子的注入、复合与寿命;

　　2)准费米能级;

　　3)复合理论、陷阱效应;

　　4)载流子的扩散、电流密度方程;

　　5)连续性方程。

　　4、p-n结理论和金属-半导体接触理论(40分)

　　1)p-n结及其能带;

　　2)p-n结电流电压特性;

　　3)p-n结电容、p-n结隧道效应;

　　4)金-半接触、能带及整流理论、欧姆接触。

　　5、半导体异质结构和半导体光电效应(60分)

　　1)半导体异质结及其能带图;

　　2)半导体异质p-n结的电流电压特性;

　　3)半导体的光学性质(光吸收和光发射);

　　4)半导体的光电导效应;

　　5)半导体的光生伏特效应;

　　6)半导体发光二极管。

　　三、参考书目

　　1、刘恩科、朱秉升、罗晋升编著，《半导体物理学》，电子工业出版社，2011.3

　　2、[美]施敏(S.M.Sze)，《半导体器件物理》，电子工业出版社，1987.12

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