一、科目：《微电子器件》

　　二、考查的知识范围：

　　第一部分 半导体器件基本方程

　　半导体器件基本方程的组成、基本形式与物理意义，主要简化方法与应用。

　　第二部分 PN结

　　PN结空间电荷区的形成过程;PN结内建电场、内建电势及耗尽区宽度的计算;耗尽近似、中性近似的含义及应用;不同状态下的PN结能带图;理想PN结I-V特性的推导与假设;大注入与小注入效应;PN结的击穿;PN结的扩散电容、势垒电容;PN结的开关特性。

　　第三部分 双极结型晶体管

　　双极结型晶体管的结构、工作状态、少子浓度分布与能带图;双极结型晶体管放大状态下的电流传输过程;均匀基区晶体管中基区输运系数、基区渡越时间、发射结注入效率以及电流放大系数的定义及求解过程;缓变基区晶体管的电流放大系数;双极结型晶体管的直流电流电压方程与输出特性;双极结型晶体管的反向特性;基区宽度调变效应;基区穿通效应。

　　第四部分 绝缘栅型场效应晶体管

　　MOSFET的结构、工作原理、基本类型、转移特性与输出特性;MOSFET阈值电压的推导与计算;衬底偏置效应;MOSFET的亚阈区特性;MOSFET的小尺寸效应。

　　三、参考书目：

　　《微电子器件》 (第4版)， 陈星弼、陈勇、刘继芝、任敏编著，电子工业出版社，2018.7.

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